Շերտավոր հաղորդման գծեր

Կաղապար:ԱնաղբյուրՇերտավոր գծերը պատրաստվում են դիէլեկտրիկի սկավառակի վրա հաղորդող շերտերի անցկանցմամբ։ Տարբերում են սիմետրիկ և ոչ սիմետրիկ միկրոշերտավոր գծեր։ Սիմետրիկ շերտավոր գիծը բաղկացած է բարակ մետաղյա թիթեղից, որ գտնվում է համասեռ դիէլեկտրիկում, որը տեղադրված է, ինչպես բուտերբրոդում, երկու հողակցված թիթեղների արանքում։ Սիմետրիկ շերտավոր գծերը, առհասարակ, օգտագործվում են հարյուրավոր Մհց գերազանցող հաճախությունների դեպքում, այնտեղ ուր տեղակայված է բաշխված պարամետրերով հիբրիդային շղթաներ են պատրաստվում և այն դեպքում, երբ պետք է ապահովել փոքր չափսեր ու լայն տիրույթ։

Նկար 1

Բայց այս գիծը զիջում է ալիքատարային և կոաքսիալ կաբելին հաղորդվող հզորության և շղթայի տարրերի միջև փոխազդեցության մակարդակի տեսակետից։

Միկրոշերտավոր գիծը հաղորդչի շերտ է, որն ամուր և կոշտ հարթակի վրա է գտնվում։ Հարթակը պատրասված է համասեռ դիէլեկտրիկից, նրա արտաքին կողմը մետաղացված է և հողակցված։ Դաշտի կառուցվածքը գծում բավական բարդ է։ Դաշտը տեղակայված է ոչ միայն շերտերի և մետաղացման արանքում, այլ նաև շերտերի վրայի և կողքի օդում։ Այդ պատճառով գծում ոչ թե ալիքի TEM, այլ քվազի-TEM մոդան է։ Ցածր հաճախոթյան դեպքում քվազի-TEM ալիքի տարածման վերլուծությունը բավարար ճշտություննր է տալիս, բայց հաճախության աճի հետ նկատելիորեն մեծանում են դաշտ երկայնակի բաղադրիչները, արտահատիչ է դառնում դիսպերսիան, այսինքն՝ գծի ալիքային դիմադրությունը և դիէլեկտրիկ թափանցելիությունը կախման մեջ են ընկնում հաճախականությունից։ Ենթադրենք՝ հաղորդիչների արանքում փոփոխական լարման ամպիլտուդը U է։

Այդ դեպքում՝

${\dot{E}}_y=\frac{U}{h}{e}^{-j\gamma z}$, ${\dot{H}}_x=\frac{U\sqrt{ϵ}}{120\pi }\frac{1}{h}{e}^{-j\gamma z}$

Այստեղից $S=h\times d$ կտրվածքով հարթակում ինտեգրմամբ կստանանք տեղափոխվող հզորությունը։ $P=\frac{1}{2}\underset{S}{\int }Re[\dot{E}\times \dot{H}]dS=\frac{U^2\sqrt{ϵ}}{240\pi }(\frac{d}{h})$, Վտ